Виды eeprom. Внутренняя энергонезависимая память EEPROM

Обновлено 16.12.15. Всем привет. Рассмотрев в прошлой статье взаимодействие кнопок с контроллером, в этой записи разберем память МК AVR EEPROM (электрически стираемая ППЗУ), которая является энергонезависимой и имеет ресурс примерно в 100 000 циклов записи/чтения. Зачем нам нужна такая память с ограниченным числом обращений к ней? Такая память идеально подходит для хранения констант и исходных параметров, которые мы можем задать в начале программы, при помощи тех же кнопок.

Следует отметить, что некоторые производители комбинируют память типа EEPROM с SRAM. При прекращении подачи рабочего напряжения содержимое памяти переносится с SRAM в EEPROM, благодаря чему достигают короткого цикла записи не приводящему к износу.

Теперь рассмотрим как обращаться к ней. Для программирования памяти EEPROM используются три регистра, расположенные в области ввода/вывода памяти SRAM: восьмиразрядный регистр адреса EEAR или два регистра EEARH и EEARL; восьмиразрядный регистр данных EEDR; восьмиразрядный регистр управления EECR. когда происходит процесс записи, байт данных адресуется регистром адреса и заносится в регистр данных. В процессе чтения из памяти в регистр данных записывается содержимое ячейки EEPROM, адресуемой регистром адреса.

В книге Евстифеева, справочнике по микроконтроллерам (литературу я приводил в статье №1), описаны программные примеры для записи/чтения. Давайте разберем программу:

Реализация функции записи:

void EEPROM_write (unsigned int uiAddress, unsigned char uoData)
{
while (EECR & (1<
EEAR = uiAddress; //Проинициализировать регистр адреса
EEDR = uoData ; //Проинициализировать регистр данных
EECR |= (1< //Установить флаг EEMWE
EECR |= (1<< EEWE); //Начать запись в EEPROM
}

Разберем программу.
1. EEWE является разрядом регистра (рисунок ниже) EECR и отвечает за разрешение записи в EEPROM, если установлен в 1, то происходит запись в EEPROM , при условии что EEMWE установлен в 1.
2. Загружаем адрес в регистр адреса EEAR

Разряды регистра управления EECR:
EERIE — разрешение прерывания от EEPROM;
EEMWE — управление разрешением записи в EEPROM;
EEWE — разрешение записи в EEPROM;
EERE — разрешение чтения из EEPROM.

3. Загружаем байт данных в регистр данных EEDR.
4. EEMWE – управление разрядом разрешения записи в EEPROM. Этот флаг отвечает за функционирование разряда разрешения записи EEWE. При установке в 1 запись разрешается, если 0, то при установке EEWE в 1 запись в память не произойдет. После программной установки EEMWE сбрасывается через 4 машинных цикла.
5. Записываем данные в память.

Здесь есть один нюанс . Если планируется, периодически записывать данные в EEPROM во время выполнения программы, при самопрограммировании микроконтроллера, то необходимо знать, что запись в EEPROM не может одновременно выполняться с записью во Flash память, поэтому выше после первого пункта необходимо добавить следующий пункт:

— дождаться завершения записи во Flash-память программ, т.е. ждать пока не сброситься флаг SPMEN регистра SPMCR, тогда после этой строки необходимо добавить еще одно циклическое условие:

while (SPMCR &(1<// Завершение записи во Flash память

Теперь разберем функцию чтения:

Unsigned char EEPROM_write (unsigned int uiAddress)
{
while (EECR & (1<//ждем завершения предыдущей записи
EEAR = uiAddress; //Проинициализировать регистр адреса
EECR |= (1<
return EEDR;
}

Здесь все почти также, только в функцию передается адрес переменной, инициализируем его и разрешаем чтение по этому адресу. Возвращаем данные.

Но прежде, чем использовать алгоритм записи или чтения EEPROM, необходимо объявить переменную, которая будет распределена в пределах области EEPROM. Для этого в библиотеке eeprom.h программной среды WinAVR определен специальный атрибут EEMEM. Например объявим переменную без знакового целочисленного типа с атрибутом.

EEMEM uint8_t eeprom_х; // объявим переменную.
х –переменная;
uint8_t – целочисленный без знаковый тип, имеющие точно указанную разрядность, в данном случае 8 бит и предназначен для переносимости программ.
EEMEM – атрибут, заставляющий переменную быть распределенной в пределах раздела.eeprom. Данный атрибут определен в файле eeprom.h и выглядит он следующим образом.

#ifndef EEMEM
#define EEMEM__attribute__ ((section («.eeprom»)))
#endif

Для работы с данными в библиотеке уже прописаны функции:
для чтения
uint8_t eeprom_read_byte (const uint8_t *addr)
Аргументом функций eeprom_read_... является адрес переменной в EEPROM, а результатом — значение переменной в EEPROM.
для записи
void eeprom_write_byte (uint8_t *addr, uint8_t value)
Аргументами функций eeprom_write_... являются адрес в EEPROM, куда записать данные и значение которое нужно записать.

Ну что ж все это пережевав на по следок программный пример в целом. Передадим в EEPROM данные и считаем. Используя AVR и , выведем результат.

#include
#include
#include
#include «lcd.h»

uint8_t EEMEM eepro_х; /* такая переменная должна быть всегда глобальной и служит для передачи своего адреса в область EEPROM*/
char word="Hello";

main ()
{
uint8_t eepro_х1 = 100; /*вторая переменная для передачи данных*/
/*Давайте запишем переменную в память*/
eeprom_write_byte (&eeprom_x, eeprom_x1); /*передаем в функцию адрес переменной и значение которое запишем по этому адресу*/
/*теперь убедимся, что в памяти у нас хранится значение 100, для этого обнулим текущее значение переменной х и присвоим считанное значение из памяти*/
eeprom_х1 = 0;
/*считаем содержимое памяти*/
x1 = eeprom_read_byte (&eeprom_x); // взятие адреса переменной
sprintf (word,"V_eeprom x1=%3d",eeprom_x1);
PrintString (word);
}

Ниже, на рисунке представлен результат
Если в программе изначально передаются какие то константы для хранения в памяти EEPROM, то при прошивке необходимо залить файл с расширением.eep, который будет создан компилятором и размещен в той же директории что и рабочие файлы.

На этом пока все. Здесь дан краткий обзор для работы с такой памятью. Конечно есть куча нюансов, но это уже тонкости. В следующей статье рассмотрим ШИМ (широтно-импульсную модуляцию) и плавно перейдем к следующему проекту попробуем сконструировать «мозги» для любительского станка ЧПУ. Всем пока.

Наш контроллер печи почти готов – однако пока он остаётся контроллером-«золотой рыбкой», который помнит все настройки только пять минут до первого выключения питания. Чтобы запомнить наши настройки, значение заданной температуры и точки калибровки даже после отключения питания, нужно использовать энергонезависимую память – EEPROM.
Очень хорошо о работе с EEPROM написано у наших товарищей и .

Главное, что нам нужно знать – что память EEPROM лучше рассматривать не как «просто память», а как отдельное внутреннее устройство в микросхеме.
У EEPROM отдельное адресное пространство , не имеющее никакого отношения к адресному пространству процессора (FLASH и SRAM); для того, чтобы получить доступ к данным по определённому адресу в энергонезависимой памяти, нужно выполнить определённую последовательность действий с использованием целого ряда регистров (регистров адреса EEARH и EEARL, регистра данных EEDR и регистра управления EECR).
Согласно даташиту, для записи байта по определённому адресу в EEPROM нужно выполнить следующее:

1. ждём готовности EEPROM к записи данных (сброса бита EEPE регистра EECR);
2. ждём окончания записи в FLASH-память (сброса бита SELFPRGEN регистра SPMCSR) – нужно выполнить, если в программе присутствует загрузчик;
3. записываем новый адрес в регистр EEAR (при необходимости);
4. записываем байт данных в регистр EEDR (при необходимости);
5. устанавливаем в единицу бит EEMPE регистра EECR;
6. в течение четырёх тактов после установки флага EEMPE записываем в бит EEPE регистра EECR логическую единицу.

После этого процессор пропускает 2 такта перед выполнением следующей инструкции.
Второй пункт нужно выполнять при наличии загрузчика в программе – дело в том, что запись в EEPROM не может выполняться одновременно с записью во FLASH-память, поэтому перед записью в EEPROM нужно убедиться, что программирование FLASH-памяти завершено; если же микроконтроллер не имеет загрузчика, то он никогда не изменяет содержимое FLASH-памяти (помним, что avr имеет гарвардскую архитектуру: память программ (FLASH) и память данных (SRAM) разделены).
Длительность цикла записи зависит от частоты внутреннего RC-генератора микросхемы, напряжения питания и температуры; обычно для моделей ATmega48x/88x/168x это составляет 3.4 мс (!), для некоторых старых моделей – 8.5 мс (!!!).
Кроме того, при записи в EEPROM могут возникнуть проблемы с вызовом прерываний в процессе выполнения последовательности действий выше – так что прерывания в процессе записи в EEPROM лучше запретить.
Чтение энергонезависимой памяти происходит чуть проще:

1. ждём готовности EEPROM к чтению данных (сброса бита EEWE регистра EECR);
2. записываем адрес в регистр EEAR;
3. устанавливаем в единицу бит EERE регистра EECR;
4. считываем данные из регистра EEDR (на самом деле, когда запрошенные данные будут перемещены в регистр данных, происходит аппаратный сброс бита EERE; но отслеживать состояние этого бита не требуется, так как операция чтения из EEPROM всегда выполняется за один такт).

После установки бита в EERE в единицу процессор пропускает 4 такта перед началом выполнения следующей инструкции.
Как мы видим, работа с энергонезависимой памятью – процесс времязатратный; если мы часто будем записывать-считывать данные с EEPROM – программа может начать тормозить.

Однако мы пишем программу в среде IAR, и нам повезло: всю работу с чтением-записью из EEPROM будет выполнять среда разработки – в iar есть модификатор «__eeprom», который создает переменные в энергонезависимой памяти – а далее нам нужно будет просто или считывать из «постоянных» переменных в «текущие» (при инициализации контроллера), или записывать из «текущих» переменных в «постоянные» – то есть, при изменении текущего значения нужно изменять и значение переменной в энергонезависимой памяти.
Выглядеть новые переменные будут вот так:

Eeprom uint16_t EEP_MinTemperature;

Ещё пару общих слов: и хотя указатели на eeprom-переменные у нас не предполагаются, нужно помнить, что eeprom – отдельное адресное пространство, и чтобы создать указатель на eeprom (и это позволяет нам сделать компилятор), необходимо указывать, что это указатель на адрес в eeprom:

Uint16_t __eeprom *EEP_MinTemperatureAdr;

Возвращаемся к контроллеру печки и EEPROM. В нашем случае, для EEPROM никакой виртуальной машины, конечно, не предполагается; более того, стоит подумать, нужна ли отдельная библиотека для работы с энергонезависимой памятью – уж больно «разбросаны» по программе записи важных настроек; если пытаться сделать отдельную библиотеку, то придётся делать перекрестные ссылки: в библиотеке для EEPROM подключать библиотеки АЦП, нагревательного элемента, глобальных настроек; а в этих библиотеках периферии подключать библиотеку EEPROM – такой подход не очень хорош.
Другой вариант – дописать в каждую библиотеку, где нужно сохранять настройки, eeprom-переменную, и сохранять соответствующие настройки прямо в виртуальных машинах. Мы реализуем этот вариант.
Сначала перечислим, какие переменные нам нужно сохранять в EEPROM:

1. точки калибровки
2. значения максимальной-минимальной задаваемой температуры и шага настройки температуры
3. значение заданной температуры
4. коэффициенты ПИД-регулятора

Значение кухонного таймера не сохраняем – будем считать, что пользователь после выключения питания должен сам каждый раз настраивать таймер печки.
Все эти настройки задаются пользователем посредством поворотов энкодера и дальнейшего краткого нажатия на пользовательскую кнопку. При этом помним, что количество циклов чтения-записи EEPROM все-таки ограничено, поэтому лишний раз одну и ту же информацию (например, если пользователь выбрал то же самое значение какой-то настройки, что и было) не перезаписывать. Поэтому перед каждым изменением __eeprom-переменной проверяем, а нужно ли её переписывать:

//если значение изменилось - перезаписываем в энергонезависимой памяти if (ADCTemperature.atMinTemperatureValue != (uint16_t)VMEncoderCounter.ecntValue) { ADCTemperature.atMinTemperatureValue = (uint16_t)VMEncoderCounter.ecntValue; EEP_MinTemperature = ADCTemperature.atMinTemperatureValue; }

С чтением настроек из EEPROM тоже все просто – при инициализации «текущих» настроек мы просто считываем значение из энергонезависимой памяти:

ADCTemperature.atMinTemperatureValue = EEP_MinTemperature;

Для того, чтобы наше устройство с самого начала имело какие-нибудь настройки в EEPROM, проект для первой загрузки можно скомпилировать с инициализацией этих переменных:

Eeprom uint16_t EEP_MinTemperature = 20; … //массив для хранения точек калибровки в энергонезависимой памяти __eeprom TCalibrationData EEP_CalibrationData = {{20, 1300}, {300, 4092}};

В этом случае компилятор инициализирует __eeprom переменные до начала работы с основной функцией. Чтобы получить файл с энергонезависимой памятью (.eep), нужно залезть в следующие настройки:
Project->Options..->Linker->Extra Options
Если галочка «Use command line options» не стоит, поставьте её и добавьте строку
-Ointel-standard,(XDATA)=.eep
Компилируем сначала проект с инициализированными переменными, сохраняем eep-файл отдельно; затем убираем инициализацию при создании переменных.

Вот и все – наша печка готова!

Урок 15

Часть 1

Внутренняя энергонезависимая память EEPROM

Я думаю, может не все, но очень многие знают, что в контроллерах AVR помимо основной оперативной памяти, а также памяти для хранения прошивки существует ещё и энергонезависимая память типа EEPROM . Данная память сделана по технологии электрического стирания информации, что в отличие от её предшественника EPROM, в котором стирание производилось только при помощи ультрафиолетовых лучей, позволило использовать данный тип памяти практически повсеместно. Как мы знаем, ещё существует энергонезависимая память типа Flesh, которая стоит намного дешевле, но у которой также есть существенный минус. Там невозможно стереть отдельный байт, стирание производится только блоками, что не совсем удобно в некоторых случаях, особенно когда информации требуется хранить немного, и информация данная представляет собой небольшие настроечные параметры. Поэтому нам стоит также остановиться на данном типе памяти. И причем не только из-за того, что он присутствует в контроллере, а из-за того, что это очень удобно для хранения некоторых величин, которые нужны нам будут даже после того, как контроллер потерял питание.

Так как мы работаем с контроллером Atmega8A, техническую документацию данного МК мы и откроем и увидим там, что всего такой памяти у нас 512 байт. Это тем не менее не так мало. Если мы, например будем какой-нибудь будильник программировать, чтобы данные установки не потерялись после отключения питания, мы вполне можем с вами обратиться к данной памяти. Также в документации написано, что данная память гарантированно переживёт 100000 циклов записи/считывания.

Теперь напрашивается вопрос. Как же организован процесс работы с данной памятью в микроконтроллере AVR ? Как всегда, компания Atmel об этом позаботилась и организовала данный процесс на аппаратном уровне, что очень радует потому, что нам постоянно приходится беречь ресурсы контроллера. Для управления данным аппаратным уровнем существуют определенные регистры.

Один из них — регистровая пара EEAR . Почему пара, а потому что 512 адресов не влезут в 8 бит, требуется ещё один

Как именно мы будем адресоваться, мы увидим в процессе программирования EEPROM .

Следующий — регистр данных EADR

В данный регистр мы будем записывать данные для того чтобы записать их в определённый адрес памяти EEPROM, а также чтобы считать их из определённого адреса той же самой памяти.

Ну и как водится, практически ни одна периферия и технология, организованная на аппаратном уровне, не обходится без управляющего регистра. У нас управляющим регистром является регистр EECR

Давайте сразу немного познакомимся с битами данного регистра.

Бит EERE — бит, заставляющий начать процесс чтения из памяти EEPROM. И, как только данные считались и записались в регистр данных, этот бит сбросится. Поэтому мы можем считать даннй бит не только управляющим, но и статусным или битом состояния.

Бит EEWE — бит, установка которого даёт команду контроллеру записать данные из регистра данных в определенный адрес EEPROM. После завершения процедуры записи, данный бит также сбрасывается самостоятельно.

Бит EEMWE — бит, разрешающий (не начинающий) процесс записи.

Бит EERIE — бит, разрешающий прерывания.

Ну, теперь перейдём к проекту. Проект был создан обычным стандартным образом и назван Test13 . Также был подключен файл main.h и созданы файлы eeprom.h и eeprom.c .

Вот исходный код созданных файлов

Test13.c:

#include "main.h"

int main ( void )

{

while (1)

{

}

}

#ifndef MAIN_H_

#define MAIN_H_

#define F_CPU 8000000UL

#include

#include

#include

#include

#include

#include "eeprom.h"

　

#endif /* MAIN_H_ */

eeprom.h

#ifndef EEPROM_H_

#define EEPROM_H_

#include "main.h"

void EEPROM_write ( unsigned int uiAddress , unsigned char ucData );

unsigned char EEPROM_read ( unsigned int uiAddress );

#endif /* EEPROM_H_ */

eeprom.c

#include "eeprom.h"

Сначала, соответственно, мы попробуем записать данные в память EEPROM. Ну, оно и логично, так как пока мы ничего не записали, нам читать также нечего.

Ну, давайте не будем забивать голову и вставим код функции записи, также и функции чтения из примера в технической документации в файл eeprom.c и уберем англоязычные комментарии, вставив туда русскоязычные. После всех исправлений файл станет вот таким

#include "eeprom.h"

void EEPROM_write ( unsigned int uiAddress , unsigned char ucData )

{

while ( EECR & (1<< EEWE ))

{}

EEAR = uiAddress ; //Устанавливаем адрес

EEDR = ucData ; //Пищем данные в регистр

EECR |= (1<< EEMWE ); //Разрешаем запись

EECR |= (1<< EEWE ); //Пишем байт в память

}

unsigned char EEPROM_read ( unsigned int uiAddress )

{

while ( EECR & (1<< EEWE ))

{} //ждем освобождения флага окончания последней операцией с памятью

EEAR = uiAddress ; //Устанавливаем адрес

EECR |= (1<< EERE ); //Запускаем операцию считывания из памяти в регистр данных

return EEDR ; //Возвращаем результат

}

Напишем прототипы на данные функции в файле eeprom.h

#include "main.h"

void EEPROM_write ( unsigned int uiAddress , unsigned char ucData );

unsigned char EEPROM_read ( unsigned int uiAddress );

Теперь вызовем функцию записи в функции main() и тем самым попробуем записать какую-нибудь 8-битную величину по адресу 1. Вообще, адресация в данной памяти начинается с 0

int main ( void )

EEPROM_write (1, 120);

While (1)

Используем мы в качестве опытов ту же самую отладочную плату, вообще ничего к ней не подключая

Соберём проект и перейдём в программу для прошивки Avrdude .

Выберем там наш файл прошивки, затем попытаемся считать контроллер, затем всё сотрем по кнопке "стереть все"

Также в программе avrdude есть ещё одна строка "Eeprom". Данную строку мы можем использовать, чтобы записать в данную память не программно, а из файла. Но мы будем писать из нашей программы, а данную строку будем использовать, чтобы читать в файл память EEPROM. Можно написать в эту строку путь от руки и файл создастся сам. Напишем, например "C:\1\11111" и нажмем "Чтение", и по данному пути запишется в указанный файл вся информация из памяти EEPROM

Вы можете писать любой путь, лишь бы только указанный в нем слева носитель с такой буквой существовал и был доступен для записи. Также папку лучше создать тоже заранее.

Найдём теперь на диске данный файл и откроем его в блокноте

Данный файл имеет приблизительно такой же формат как и файл прошивки. Сначала адрес, затем 32 байта информационных и затем контрольная сумма на эти 32 байта. Если мы не разу не записывали ничего в память EEPROM, то по всем адресам у нас будут FF, то есть во всех битах памяти у нас единички.

Закрываем файл, пытаемся прошить контроллер, затем опять читаем память EEPROM в файл и откроем файл

Мы видим, что в файл записалось число "78", что и означает 120 в десятичном формате.

Теперь попробуем нажать кнопку "Стереть всё", в этом случае память EEPROM стетеься не должна.

Читаем опять EEPROM в файл, открываем файл и видим, что память стёрлась, у нас опять везде "FF".

Почему так произошло? Потому что нужно настроить фьюзы. Читаем фьюзы

Обратим внимание на бит EESAVE. Когда данный бит в единице (как у нас и есть, биты же с инверсией), то мы заставляем при отключении питания, а также при стирании стирать память EEPROM. А чтобы такого не происходило, данный бит нужно сбросить, то есть поставить в него галку и прошить фьюзы.

Прошиваем фьюзы, стираем контроллер, прошиваем контроллер, опять стираем, читаем память EEPROM в файл и открываем его. Теперь мы видим, что ничего у нас не стёрлось

Теперь попробуем отключить контроллер от питания и подать через некоторое время питание опять. Опять читаем EEPROM в файл, у нас всё цело. Отлично!

В следующей части урока мы попробуем программно прочитать данные из памяти EEPROM.

Смотреть ВИДЕОУРОК (нажмите на картинку)

Post Views: 7 259

На заре возникновения памяти, сохраняющей данные при отключении питания (EPROM, E rasable P rogrammable ROM , стираемая/программируемая ROM, или по‑русски – ПИЗУ, программируемое ПЗУ), основным типом ее была память, стираемая ультрафиолетом: UV‑EPROM (Ultra‑Violet EPROM , УФ‑ППЗУ). Причем часто приставку UV опускали, т. к. всем было понятно, что EPROM – это стираемая ультрафиолетом, a ROM (или ПЗУ) просто, без добавлений – это однократно программируемые кристаллы OTP‑ROM. Микроконтроллеры с УФ‑памятью программ были распространены еще в середине 1990‑х. В рабочих образцах устройств с УФ‑памятью кварцевое окошечко, через которое осуществлялось стирание, заклеивали кусочком черной липкой ленты, т. к. информация в UV‑EPROM медленно разрушается и на солнечном свету.

На рис. 18.7 показано устройство элементарной ячейки EPROM, которая лежит в основе всех современных типов flash‑памяти. Если исключить из нее то, что обозначено надписью «плавающий затвор», мы получим самый обычный полевой транзистор – точно такой же входит в ячейку DRAM. Если подать на управляющий затвор такого транзистора положительное напряжение, то он откроется, и через него потечет ток (это считается состоянием логической единицы). На рис. 18.7 вверху изображен такой случай, когда плавающий затвор не оказывает никакого влияния на работу ячейки, – например, такое состояние характерно для чистой flash‑памяти, в которую еще ни разу ничего не записывали.

Рис. 18.7. Устройство элементарной ячейки EPROM

Если же мы каким‑то образом (каким – поговорим отдельно) ухитримся разместить на плавающем затворе некоторое количество зарядов – свободных электронов, которые показаны на рис. 18.7 внизу в виде темных кружочков со значком минуса, то они будут экранировать действие управляющего электрода, и такой транзистор вообще перестанет проводить ток. Это состояние логического нуля. Поскольку плавающий затвор потому так и называется, что он «плавает» в толще изолятора (двуокиси кремния), то сообщенные ему однажды заряды в покое никуда деваться не могут. И записанная таким образом информация может храниться десятилетиями (до последнего времени производители обычно давали гарантию на 10 лет, но на, практике в обычных условиях время хранения значительно больше).

Заметки на полях

Строго говоря, в NAND‑чипах (о которых далее) логика обязана быть обратной. Если в обычной EPROM запрограммированную ячейку вы не можете открыть подачей считывающего напряжения, то там наоборот – ее нельзя запереть снятием напряжения. Поэтому, в частности, чистая NAND‑память выдает все нули, а не единицы, как EPROM. Но это нюансы, которые не меняют суть дела.

Осталось всего ничего – придумать, как размещать заряды на изолированном от всех внешних влияний плавающем затворе. И не только размещать – ведь иногда память и стирать приходится, потому должен существовать способ их извлекать оттуда. В UV‑EPROM слой окисла между плавающим затвором и подложкой был достаточно толстым (если величину 50 нанометров можно охарактеризовать словом «толстый», конечно), и работало все это довольно грубо. При записи на управляющий затвор подавали достаточно высокое положительное напряжение – иногда до 36–40 В, а на сток транзистора – небольшое положительное. При этом электроны, которые двигались от истока к стоку, настолько ускорялись полем управляющего электрода, что просто перепрыгивали барьер в виде изолятора между подложкой и плавающим затвором. Такой процесс называется еще инжекцией горячих электронов .

Ток заряда при этом достигал миллиампера – можете себе представить, каково было потребление всей схемы, если в ней одновременно программировать хотя бы несколько тысяч ячеек. И хотя такой ток требовался на достаточно короткое время (впрочем, с точки зрения быстродействия схемы не такое уж и короткое – миллисекунды), но это было крупнейшим недостатком всех старых образцов EPROM‑памяти. Еще хуже другое – и изолятор, и сам плавающий затвор такого издевательства долго не выдерживали и постепенно деградировали, отчего количество циклов стирания/записи было ограничено нескольким сотнями, максимум – тысячами. Во многих образцах flash‑памяти более позднего времени даже была предусмотрена специальная схема для хранения карты «битых» ячеек – в точности так, как это делается для жестких дисков. В современных моделях с миллионами ячеек такая карта тоже имеется – однако число циклов стирания/записи теперь возросло до сотен тысяч. Как этого удалось добиться?

Сначала посмотрим, как осуществлялось в этой схеме стирание. В UV‑EPROM при облучении ультрафиолетом фотоны высокой энергии сообщали электронам на плавающем затворе достаточный импульс для того, чтобы они «прыгнули» обратно на подложку самостоятельно, без каких‑либо электрических воздействий. Первые образцы электрически стираемой памяти (EEPROM, Electrically Erasable Programmable ROM , электрически стираемое перепрограммируемое ПЗУ, ЭСППЗУ) были созданы в компании Intel в конце 1970‑х при непосредственном участии будущего основателя Atmel Джорджа Перлегоса. Он использовал квантовый эффект туннелирования Фаулера–Нордхейма . За этим непонятным названием кроется довольно простое по сути (но очень сложное с физической точки зрения) явление – при достаточно тонкой пленке изолятора (ее толщину пришлось уменьшить с 50 до 10 нм) электроны, если их слегка подтолкнуть подачей не слишком высокого напряжения в нужном направлении, могут просачиваться через барьер, не перепрыгивая его. Сам процесс показан на рис. 18.8 вверху (обратите внимание на знак напряжения на управляющем электроде).

Рис. 18.8. Процесс стирания в элементарной ячейке EPROM

Старые образцы EEPROM именно так и работали: запись производилась «горячей инжекцией», а стирание – «квантовым туннелированием». Оттого они были довольно сложны в эксплуатации – разработчики со стажем помнят, что первые микросхемы EEPROM требовали два, а то и три питающих напряжения, причем подавать их при записи и стирании требовалось в определенной последовательности.

Превращение EEPROM во flash происходило по трем разным направлениям. В первую очередь – в направлении совершенствования конструкции самой ячейки. Для начала избавились от самой противной стадии – «горячей инжекции». Вместо нее при записи стали также использовать «квантовое туннелирование», как и при стирании. На рис. 18.8 внизу показан этот процесс – если при открытом транзисторе подать на управляющий затвор достаточно высокое (но значительно меньшее, чем при «горячей инжекции») напряжение, то часть электронов, двигающихся через открытый транзистор от истока к стоку, «просочится» через изолятор и окажется на плавающем затворе. Потребление тока при записи снизилось на несколько порядков. Изолятор, правда, пришлось сделать еще тоньше, что обусловило довольно большие трудности с внедрением этой технологии в производство.

Второе направление – ячейку сделали несколько сложнее, пристроив к ней второй транзистор (обычный, не двухзатворный), который разделил вывод стока и считывающую шину всей микросхемы. Благодаря всему этому удалось добиться значительного повышения долговечности – до сотен тысяч циклов записи/стирания (миллионы циклов, характерные для флэш‑карточек, получаются, если добавить схемы коррекции ошибок). Кроме того, схемы формирования высокого напряжения и соответствующие генераторы импульсов записи/стирания перенесли внутрь микросхемы, отчего пользоваться этими типами памяти стало несравненно удобнее – они стали питаться от одного напряжения (5, 3,3 или даже 1,8 В).

И, наконец, третье, едва ли не самое главное, усовершенствование заключалось в изменении организации доступа к ячейкам на кристалле, вследствие чего этот тип памяти и заслужил наименование – flash (т. е. «молния»), ныне известное каждому владельцу цифровой камеры или карманного МРЗ‑плеера. Так в середине 1980‑х назвали разновидность EEPROM, в которой стирание и запись производились сразу целыми блоками – страницами. Процедура чтения из произвольной ячейки, впрочем, по понятным причинам замедлилась – для его ускорения приходится на кристаллах flash‑памяти располагать промежуточную (буферную) SRAM. Для флэш‑накопителей это не имеет особого значения, т. к. там все равно данные читаются и пишутся сразу большими массивами, но для использования в микроконтроллерах это может оказаться неудобным. Тем более, в МК неудобно использовать самый быстродействующий вариант flash‑технологии – так называемую память типа NAND (от наименования логической функции «И‑НЕ»), где читать и записывать память в принципе возможно только блоками по 512 байт (это обычная величина сектора на жестком диске, также читаемого и записываемого целиком за один раз, – отсюда можно понять основное назначение NAND).

В МК обычно используют традиционную (типа NOR) flash‑память программ, в которой страницы относительно невелики по размерам – порядка 64‑256 байтов. Впрочем, если пользователь сам не берется за создание программатора для такой микросхемы, он может о страничном характере памяти и не догадываться. А для пользовательских данных применяют EEPROM либо с возможностью чтения произвольного байта, либо секционированную, но на очень маленькие блоки – например, по 4 байта. При этом для пользователя все равно доступ остается побайтным. Характерной чертой такой памяти является довольно медленная (порядка миллисекунд) процедура записи, в то время как чтение протекает ничуть не медленнее любых других операций в МК.

Развитие технологий flash‑памяти имело огромное значение для удешевления и доступности микроконтроллеров. В дальнейшем мы будем иметь дело с энергонезависимой памятью не только в виде встроенных в микроконтроллер памяти программ и данных, но и с отдельными микросхемами, позволяющими записывать довольно большие объемы информации.

Микроконтроллеры Atmel AVR

Общее количество существующих семейств микроконтроллеров оценивается приблизительно в 100 с лишним, причем ежегодно появляются все новые и новые. Каждое из этих семейств может включать десятки разных моделей. Причем львиная доля выпускаемых чипов приходится на специализированные контроллеры – например, для управления USB‑интерфейсом или ЖК‑дисплеями. Иногда довольно трудно классифицировать продукт – так, многие представители семейства ARM, которое широко применяется для построения мобильных устройств, с точки зрения развитой встроенной функциональности относятся к типичным контроллерам, но в то же время достаточно мощное ядро позволяет отнести их и к классу микропроцессоров.

Из семейств универсальных 8‑разрядных микроконтроллеров, так сказать, «на все случаи жизни», наиболее распространены три: контроллеры классической архитектуры х51 (первый контроллер семейства 8051 был выпущен фирмой Intel еще в середине 1980‑х), контроллеры PIC фирмы Microchip (идеально подходят для проектирования несложных устройств, особенно предназначенных для тиражирования), и рассматриваемые нами Atmel AVR .

Заметки на полях

В 1995 году два студента Норвежского университета науки и технологий в г. Тронхейме, Альф Боген и Вегард Воллен, выдвинули идею 8‑разрядного RISC‑ядра, которую предложили руководству Atmel. Имена разработчиков вошли в название архитектуры AVR: Alf + Vegard + RISC. В Atmel идея настолько понравилась, что в 1996 году был основан исследовательский центр в Тронхейме, и уже в конце того же года начат выпуск первого опытного микроконтроллера новой серии AVR под названием AT90S1200. Во второй половине 1997 года корпорация Atmel приступила к серийному производству семейства AVR.

Почему AVR ?

У AVR‑контроллеров «с рождения» есть несколько особенностей, которые отличают это семейство от остальных МК, упрощают его изучение и применение. Одним из существенных преимуществ AVR стало использование конвейера. В результате для AVR не существует понятия машинного цикла: большинство команд, как мы говорили, выполняется за один такт (для сравнения отметим, что пользующиеся большой популярностью МК семейства PIC выполняют команду за 4 такта). Правда, при этом пришлось немного пожертвовать простотой системы команд, есть некоторые сложности и в области операций с битами. Тем не менее, это не приводит к заметным трудностям при изучении AVR‑ассемблера – наоборот, программы получаются короче и больше напоминают программу на языке высокого уровня (отметим, что AVR проектировались специально в расчете на максимальное приближение к структуре языка С ).

Другое огромное преимущество AVR‑архитектуры – наличие 32 оперативных регистров, не во всем равноправных, но позволяющих в простейших случаях обходиться без обращения к оперативной памяти и, что еще важнее, без использования стека – главного источника ошибок у начинающих программистов (мало того, в младших моделях AVR стек даже недоступен для программиста). Для AVR не существует понятия «аккумулятора», ключевого для ряда других семейств. Это еще больше приближает структуру ассемблерных программ для AVR к программам на языке высокого уровня, где операторы работают не с ячейками памяти и регистрами, а с абстрактными переменными и константами.

Но это, конечно, не значит, что AVR – однозначно лучшее в мире семейство МК. У него есть и ряд недостатков (например, несовершенная система защиты энергонезависимой памяти данных – EEPROM, некоторые вопросы с помехоустойчивостью, излишние сложности в системе команд и структуре программ и т. п.). А учитывая, что любые универсальные современные МК позволяют делать все то же самое, вопрос выбора платформы – вопрос в значительной степени предпочтений и личного опыта разработчика.

Несомненно, истинным подарком для фирмы Atmel стала позиция итальянских инженеров, выбравших в 2004 году AVR для любительской платформы Arduino, отчего популярность этого семейства быстро выросла, и за его будущее можно не беспокоиться. Об Arduino мы будем подробно говорить в последних главах этой книги.

Classic, Mega и Tiny

Линейка универсальных контроллеров AVR общего назначения делится на семейства: Classic, Mega и Tiny (есть и новейшее семейство Xmega , содержащее весьма «навороченные» кристаллы). МК семейства Classic (они именовались, как АТ908<марка контроллера>) ныне уже не производятся, однако все еще распространены в литературе, т. к. для них наработано значительное количество программ. Чтобы пользователям не пришлось переписывать все ПО, фирма Atmel позаботилась о преемственности – большинство МК семейства Classic имеет функциональные аналоги в семействе Mega, например, AT90S8515 – ATmega8515, AT90S8535 – ATmega8535 и т. п. (только AT90S2313 имеет аналог в семействе Tiny – ATtiny2313).

Полная совместимость обеспечивается специальным установочным битом (из набора так называемых Fuse‑битoв) , при программировании которого Mega‑контроллер начинает функционировать, как Classic (подробнее об этом рассказано в главе 19 ). Для вновь разрабатываемых устройств обычно нет никакого смысла в использовании их в режиме совместимости, однако такой прием в ряде случаев может оказаться полезным для начинающих, поскольку программы для МК Classic устроены проще и часто встречаются в литературе.

Семейство Tiny (что в буквальном переводе означает «крохотный») предназначено для наиболее простых устройств. Часть МК этого семейства не имеет возможности программирования по последовательному интерфейсу, и потому мы их, за исключением ATtiny2313, не будем рассматривать в этой книге (это не значит, что остальных Tiny следует избегать – среди них есть очень удобные и функциональные микросхемы, нередко вообще не имеющие аналогов). У составляющего исключение МК ATtiny2313 отсутствует бит совместимости с «классическим» аналогом AT90S2313, одним из самых простых и удобных контроллеров Atmel , но при внимательном рассмотрении оказывается, что они и без такого бита совместимы «снизу вверх», – программы для «классического» 2313 практически полностью подходят и для Tiny2313 (см. главу 19 ).

Структура МК AVR

Общая структура внутреннего устройства МК AVR приведена на рис. 18.9. Здесь показаны все основные компоненты AVR (за исключением некоторых специализированных) – в отдельных моделях некоторые компоненты могут отсутствовать или различаться по характеристикам, неизменным остается только общее 8‑разрядное процессорное ядро (GPU, General Processing Unit ). Кратко рассмотрим наиболее важные компоненты, с большинством из которых мы познакомимся в дальнейшем подробнее.

Рис. 18.9. Общая структурная схема микроконтроллеров AVR

Начнем с памяти. В структуре AVR имеются три разновидности памяти: flash‑память программ, ОЗУ (SRAM) для временного хранения данных и энергонезависимая память (EEPROM) для долговременного хранения констант и данных. Рассмотрим их по отдельности.

Память программ

Встроенная flash‑память программ в AVR‑контроллерах имеет объем от 1 Кбайт у ATtiny11 до 256 Кбайт у ATmega2560. Первое число в наименовании модели содержит величину этой памяти в килобайтах из ряда: 1, 2, 4, 8, 16, 32, 64, 128 и 256 Кбайт. Так, ATtiny2313 имеет 2 Кбайт памяти, a ATmega8535 – 8 Кбайт.

С точки зрения программиста память программ можно считать построенной из отдельных ячеек – слов по два байта каждое. Устройство памяти программ (и только этой памяти!) по двухбайтовым словам – очень важный момент, который ассемблерному программисту нужно твердо усвоить. Такая организация обусловлена тем, что любая команда в AVR имеет длину ровно 2 байта. Исключение составляют команды jmp, call и некоторые другие (например, lds ), которые оперируют с адресами 16‑разрядной и более длины. Длина этих команд составляет 4 байта, и они используются лишь в моделях с памятью программ более 8 Кбайт, поэтому в этом разделе книги вы их не встретите. Arduino основано на AVR‑контроллерах с большим объемом памяти, но там нам об этих тонкостях знать необязательно. Во всех остальных случаях счетчик команд сдвигается при выполнении очередной команды на 2 байта (одно слово), поэтому необходимую емкость памяти легко подсчитать, зная просто число используемых команд.

По умолчанию все контроллеры AVR всегда начинают выполнение программы с адреса $0000. Если в программе не используются прерывания, то с этого адреса может начинаться прикладная программа, как мы увидим далее. В противном случае по этому адресу располагается так называемая таблица векторов прерываний , подробнее о которой мы будем говорить в главе 19 .

Память данных (ОЗУ, SRAM )

В отличие от памяти программ, адресное пространство памяти данных адресуется побайтно (а не пословно). Адресация полностью линейная, без какого‑либо деления на страницы, сегменты или банки, как это принято в некоторых других системах.

Исключая некоторые младшие модели Tiny, объем встроенной SRAM колеблется от 128 байтов (например, у ATtiny2313) до 4–8 Кбайт у старших моделей Mega . Адресное пространство статической памяти данных (SRAM) условно делится на несколько областей, показанных на рис. 18.10. К собственно встроенной SRAM относится лишь затемненная часть, до нее по порядку адресов расположено адресное пространство регистров, где первые 32 байта занимает массив регистров общего назначения (РОН), еще 64 – регистров ввода/вывода (РВВ).

Рис. 18.10. Адресное пространство статической памяти данных (SRAM ) микроконтроллеров AVR

Для некоторых моделей Mega (ATmega8515, ATmega162, ATmega128, ATmega2560 и др.) предусмотрена возможность подключения внешней памяти объемом до 64 Кбайт. Отметим, что адресные пространства РОН и РВВ не отнимают пространство у ОЗУ данных – так, если в конкретной модели МК имеется 512 байтов SRAM, а пространство регистров занимает первые 96 байтов (до адреса $5f), to адреса SRAM займут адресное пространство от $0060 до $025F (т. е. от 96 до 607 ячейки включительно). Конец встроенной памяти данных обозначается константой RAMEND . Следует учесть, что последние адреса SRAM, как минимум, на четыре‑шесть ячеек от конца (в зависимости от количества вложенных вызовов процедур – для надежности лучше принять это число равным десяти или даже более) занимать данными не следует, т. к. они при использовании подпрограмм и прерываний заняты под стек.

Операции чтения/записи в память одинаково работают с любыми адресами из доступного пространства, и потому при работе с SRAM нужно быть внимательным, – вместо записи в память вы легко можете «попасть» в какой‑нибудь регистр. Для обращения к РОН, как к ячейкам памяти, можно в качестве адреса подставлять номер регистра, а вот при обращении к РВВ таким же способом к номеру последнего нужно прибавлять $20. Следует также помнить, что по умолчанию при включении питания все РВВ устанавливаются в нулевое состояние во всех битах (единичные исключения все же имеются, поэтому в критичных случаях надо смотреть документацию), а вот РОН и ячейки SRAM могут принимать произвольные значения.

Энергонезависимая память данных (EEPROM )

Все модели МК AVR (кроме снятого с производства ATtiny11) имеют встроенную EEPROM для хранения констант и данных при отключении питания. В разных моделях объем ее варьируется от 64 байтов (ATtinylx) до 4 Кбайт (старшие модели Mega). Число циклов перепрограммирования EEPROM может достигать 100 тыс.

Напомним, что EEPROM отличается от flash‑памяти возможностью выборочного программирования побайтно (вообще‑то, даже побитно, но эта возможность скрыта от пользователя). Чтение из EEPROM осуществляется с такой же скоростью, как и чтение из РОН, – в течение одного машинного цикла (правда, на практике оно растягивается на 4 цикла, но программисту следить за этим специально не требуется). А вот запись в EEPROM протекает значительно медленнее и к тому же с неопределенной скоростью – цикл записи одного байта может занимать от 2 до 4 и более миллисекунд. Процесс записи регулируется встроенным RC‑генератором, частота которого нестабильна (при низком напряжении питания можно ожидать, что время записи будет больше). За такое время при обычных тактовых частотах МК успевает выполнить несколько тысяч команд, поэтому программирование процедуры записи требует аккуратности – например, нужно следить, чтобы в момент записи не «вклинилось» прерывание (подробнее об этом далее).

Главная же сложность при использовании EEPROM – то, что при недостаточно быстром снижении напряжения питания в момент выключения содержимое ее может быть испорчено. Обусловлено это тем, что при снижении напряжения питания ниже некоторого порога (ниже порога стабильной работы, но недостаточного для полного выключения) и вследствие его дребезга МК начинает выполнять произвольные команды, в том числе может выполнить и процедуру записи в EEPROM, если она имеется в программе. Если учесть, что типовая команда МК AVR выполняется за десятые доли микросекунды, то ясно, что никакой реальный источник питания не может обеспечить снижение напряжения до нуля за нужное время. По опыту автора при питании от обычного стабилизатора типа LM7805 с рекомендованными значениями емкости конденсаторов на входе и на выходе содержимое EEPROM будет испорчено примерно в половине случаев.

Этой проблемы не должно существовать, если запись констант в EEPROM производится при программировании МК, а процедура записи в программе отсутствует. Во всех же остальных случаях (а их, очевидно, абсолютное большинство – EEPROM чаще всего используется для хранения пользовательских установок и текущей конфигурации при выключении питания) приходится принимать специальные меры. Встроенный детектор падения напряжения (Brown‑Out Detection , BOD), имеющийся практически во всех моделях Tiny и Mega , обычно с этим не справляется. Наиболее кардинальной из таких мер является установка внешнего монитора питания, удерживающего МК при снижении напряжения питания ниже пороговой величины в состоянии сброса (подробности см. ).

EEPROM — это энергонезавимая память с электрическим стиранием информации. Количество циклов записи-стирания в этих микросхемах достигает 1000000 раз. Заминающие ячейки в них, также как и в постоянных запоминающих устройствах с электрическим стиранием EPROM, реализуются на основе транзисторов с плавающим затвором. Внутреннее устройство этой запоминающей ячейки приведено на рисунке 1:

Рисунок 1. Запоминающая ячейка ПЗУ с электрическим стиранием (EEPROM)

Ячейка EEPROM памяти представляет собой МОП транзистор, в котором затвор выполняется из поликристаллического кремния. Затем в процессе изготовления микросхемы этот затвор окисляется и в результате он будет окружен оксидом кремния — диэлектриком с прекрасными изолирующими свойствами. В транзисторе с плавающим затвором при полностью стертом ПЗУ, заряда в "плавающем" затворе нет, и поэтому данный транзистор ток не проводит. При программировании, на второй затвор, находящийся над "плавающим" затвором, подаётся высокое напряжение и в него за счет туннельного эффекта индуцируются заряды. После снятия программирующего напряжения индуцированный заряд остаётся на плавающем затворе, и, следовательно, транзистор остаётся в проводящем состоянии. Заряд на его плавающем затворе может храниться десятки лет.

Подобная ячейка памяти применялась в ПЗУ с ультрафиолетовым стиранием (EPROM). В ячейке памяти с электрическим стиранием возможна не только запись, но и стирание информации. Стирание информации производится подачей на программирующий затвор напряжения, противоположного напряжению записи. В отличие от ПЗУ с ультрафиолетовым стиранием, время стирания информации в EEPROM памяти составляет около 10 мс.

Структурная схема энергонезависимой памяти с электрическим стиранием не отличается от структурной схемы масочного ПЗУ. Единственное отличие — вместо плавкой перемычки используется описанная выше ячейка. Ее упрощенная структурная схема приведена на рисунке 2.

Рисунок 2. Упрощенная структурная схема EEPROM

В качестве примера микросхем EEPROM памяти можно назвать отечественные микросхемы 573РР3, 558РР3 и зарубежные микросхемы серий AT28с010, AT28с040 фирмы Atmel, HN58V1001 фирмы Hitachi Semiconductor, X28C010 фирмы Intersil Corporation. В EEPROM памяти чаще всего хранятся пользовательские данные в сотовых аппаратах, которые не должны стираться при выключении питания (например адресные книги), конфигурационная информация роутеров или сотовых аппаратов, реже эти микросхемы применяются в качестве конфигурационной памяти FPGA или хранения данных DSP. EEPROM изображаются на принципиальных схемах как показано на рисунке 3.

Рисунок 3. Условно-графическое обозначение электрически стираемого постоянного запоминающего устройства

Чтение информации из параллельной EEPROM памяти производится аналогично чтению из масочного ПЗУ. Сначала на шине адреса выставляется адрес считываемой ячейки памяти в двоичном коде A0...A9, затем подается сигнал чтения RD. Сигнал выбора кристалла CS обычно используется в качестве дополнительного адресного провода для обращения к микросхеме. Временные диаграммы сигналов на входах и выходах этого вида ПЗУ приведены на рисунке 4.

Рисунок 4. Временные диаграммы сигналов чтения информации из EEPROM памяти

На рисунке 5 приведен чертеж типового корпуса микросхемы параллельной EEPROM памяти.

Рисунок 5. Чертеж корпуса микросхемы параллельной EEPROM

Обычно данные, которые хранятся в EEPROM требуются достаточно редко. Время считывания при этом не критично. Поэтому в ряде случаев адрес и данные передаются в микросхему и обратно через последовательный порт. Это позволяет уменьшить габариты микросхем за счет уменьшения количества внешних выводов. При этом используются два вида последовательных портов — SPI порт и I2C порт (микросхемы 25сXX и 24cXX серий соответственно). Зарубежной серии 24cXX соответствует отечественная серия микросхем 558РРX.

Внутренняя схема микросхем серии 24сXX (например AT24C01) приведена на рисунке 6.

Рисунок 6. Внутренняя схема микросхемы AT24C01

Подобные микросхемы широко используются для сохранения настроек телевизоров, в качестве памяти plug and play в компьютерах и ноутбуках, конфигурационной памяти ПЛИС и сигнальных процессоров (DSP). Применение последовательной EEPROM памяти позволило значительно уменьшить стоимость данных устройств и увеличить удобство работы с ними. Пример расположения данной микросхемы на печатной плате карты памяти компьютера приведен на рисунке 7.

Рисунок 7. EEPROM на печатной плате карты памяти компьютера

На рисунке 8 приведена схема электронной карты с применением внешней EEPROM микросхемы.

Рисунок 8. Схема электронной карты с применением внешней EEPROM

На данной схеме микроконтроллер PIC16F84 осуществляет обмен данными с EEPROM памятью 24LC16B. В таких устройствах, как SIM-карта, уже не применяется внешняя микросхема памяти. В SIM-картах сотовых аппаратов используется внутренняя EEPROM память однокристального микроконтроллера. Это позволяет максимально снизить цену данного устройства.

Схема управления для электрически стираемых программируемых ПЗУ получилась сложная, поэтому наметилось два направления развития этих микросхем:

1. ЕСППЗУ (EEPROM) - электрически стираемое программируемое постоянное запоминающее устройство
2. FLASH-ПЗУ

FLASH - ПЗУ отличаются от ЭСППЗУ тем, что стирание производится не каждой ячейки отдельно, а всей микросхемы в целом или блока запоминающей матрицы этой микросхемы, как это делалось в РПЗУ.

Рисунок 9. Условно-графическое обозначение FLASH памяти

При обращении к постоянному запоминающему устройству сначала необходимо выставить адрес ячейки памяти на шине адреса, а затем произвести операцию чтения из микросхемы. Эта временная диаграмма приведена на рисунке 11.

Рисунок 10. Временные диаграммы сигналов чтения информации из ПЗУ

На рисунке 10 стрелочками показана последовательность, в которой должны формироваться управляющие сигналы. На этом рисунке RD - это сигнал чтения, A - сигналы выбора адреса ячейки (так как отдельные биты в шине адреса могут принимать разные значения, то показаны пути перехода как в единичное, так и в нулевое состояние), D - выходная информация, считанная из выбранной ячейки ПЗУ.

Литература:

Вместе со статьей "Постоянные запоминающие устройства (ПЗУ)" читают: